Canon hat die Markteinführung des FPA-3030i6 i-line Steppers bekannt gegeben. Das neue Halbleiter-Lithografie-Systems ist für die Verarbeitung von Wafern mit einem Durchmesser von 200 mm (8 Zoll) oder kleiner ausgelegt. Es verwendet ein neu entwickeltes Projektionsoptik, das sich durch eine hohe Transmission und hohe Haltbarkeit auszeichnet. Das System reduziert die Linsenaberration bei Prozessen mit hoher Belichtungsdosis und verbessert die Produktivität durch Verkürzung der Belichtungszeit.
Die Linse besteht aus hochdurchlässigem, optischem Glas, das die während der Belichtung auftretenden Linsenaberrationen im Vergleich zu früheren Stepper-Modellen um mehr als 50 Prozent reduziert. Eine höhere Transmission trägt auch dazu bei, die Belichtungszeit zu verkürzen und gleichzeitig die Abbildungsgenauigkeit selbst unter Bedingungen mit hoher Belichtungsdosis beizubehalten.
Das neue Objektiove ermöglicht durch neue optische materialin ein kürzere Belicvhtung und damit eine höhere Produktivität.
Die Verbesserung der Transmission der Projektionslinse erhöht auch die Belichtungsintensität und verkürzt die für jeden Prozess erforderliche Belichtungszeit. Die Standardproduktivität des FPA-3030i6 für 8-Zoll-Wafer (200 mm) wurde auf 130 Wafer pro Stunde im Vergleich zu 123 bei den vorherigen Stepper-Modellen erhöht. Da die Projektionsoptik sehr langlebig ist, wird die nachlassende Linsentransmission im Laufe der Zeit reduziert und die Produktivität kann über die gesamte Lebensdauer des Systems aufrechterhalten werden.
Der Einstellbereich der NA (numerische Apertur) wurde ebenfalls von 0,45 ~ 0,63 im Vorgängermodell auf 0,30 ~ 0,63 erweitert. Durch die kleinere NA lässt sich der optimale NA-Wert für jede Belichtungsebene auswählen.
Optional ist ein Wafer-Handling-System für spezielle Substrate erhältlich. Dies ermöglicht es, die Fertigungsanforderungen der Hersteller für verschiedene neu aufkommende Halbleiterbauelemente, einschließlich nachhaltiger Bauelemente für hohe Leistungen und hohe Wirkungsgrade zu erfüllen.
Der FPA-3030i6 kann ein breites Spektrum an Bauelementen herstellen. So sind Prozessoptionen für Substrate aus Silizium (Si) und Saphir sowie Halbleiterverbundwerkstoffen wie Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GaAs) verfügbar.
Canon bietet zudem Optionen für den Wafertransport an, die die Handhabung von Substraten mit einem Durchmesser von 2 Zoll (50 mm) bis 8 Zoll (200 mm) sowie die Verwendung dicker, dünner und verzogener Substrate ermöglichen.
